Обзор продукта

8-дюймовая система ICP-CVD компании Nice-Tech' предназначена для нанесения тонких-пленок на 8-дюймовые пластины. Он генерирует плазму высокой плотности посредством индуктивной связи (ICP) и устанавливает смещение посредством емкостной связи (CCP), обеспечивая низкотемпературное осаждение.

Соответствуя стандартам SEMI, он использует универсальные 8-дюймовые фабричные компоненты и прошел строгие тесты на стабильность. Система поддерживает пластины диаметром 8/6 дюйма (с помощью дополнительных электродов), что соответствует требованиям массового производства и разнообразным технологическим процессам.

Преимущества

Низкая-температура и высокая-плотность осаждения

Наносит пленки высокой-плотности при<120°C, comparable to LPCVD films grown at 750°C, avoiding high-temperature damage to wafers.

Превосходное качество фильма

Плотность тока утечки соответствует пленкам,-подготовленным ALD, что обеспечивает электрическую стабильность и надежность устройства.

Заполнение с высоким-соотношением-соотношений

Обеспечивает равномерное заполнение глубоких отверстий/канавок, решая проблемы неравномерного заполнения в сложных конструкциях.

Гибкая совместимость

Работает с пластинами размером 8/6 дюйма; Стандартизированные детали сокращают затраты на техническое обслуживание и упрощают интеграцию с существующими линиями.

Приложения

01/

Нанесение изоляционного слоя
Для 8-дюймовых устройств логики/памяти (например, DRAM, NAND). Наносит изоляционные слои SiO₂/SiNₓ для обеспечения надежной электрической изоляции между компонентами.

02/

Заполнение структуры с высоким-соотношением-соотношений
Применяется в силовых полупроводниках и МЭМС. Заполняет глубокие траншеи/полости с высокой точностью для повышения структурной целостности устройства.

03/

Расширенное хранение упаковки
Используется в корпусе 8-дюймовой пластины (WLCSP, SiP). Наносит изоляционную/защитную пленку для повышения надежности упаковки.

04/

Подготовка специальной функциональной пленки
Готовит специальные функциональные пленки: анти-отражающие покрытия для фотодетекторов (увеличивает поглощение света) и диэлектрические пленки с низкими-потерями для радиочастотных устройств (обеспечивают целостность сигнала).

Параметры

Категория	8-система ICP-CVD
Совместимость пластин	8 дюймов (основной); 6 дюймов (опционально, через совместимые электроды)
Температура осаждения	Меньше или равна 120 градусам (низко-процесс)
Генерация плазмы	Плазма индуктивной связи (ICP) + Плазма емкостной связи (CCP)
Плотность пленки	Сравнимо с пленками LPCVD, выращенными при температуре 750 градусов.
Ток утечки пленки	Эквивалентен пленкам, полученным методом атомно-слоевого осаждения (ALD).
Высокая -соотношение сторон-наполняющая способность	Равномерное заполнение глубоких отверстий/канавок (подходит для современных полупроводниковых структур)
Депонируемые материалы	SiO₂, SiNₓ и другие функциональные пленки (настраиваются в зависимости от технологических потребностей)
Технологическая камера	Конструкция с высоким-вакуумом (обеспечивает чистый состав пленки и стабильное осаждение)
Отраслевое соответствие	Соответствует стандартам SEMI; совместимость с линиями по производству 8-дюймовых пластин
Ключевые компоненты	Детали международного стандарта (уменьшает сложность и стоимость обслуживания)